HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S14536-500
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S14536-500 详细参数 受光面 48 × 48 mm 芯片厚度 500 ± 15 μm 非感光层厚度（正面） 1.5 μm 非感光层厚度（背面） 20 μm 满耗电压最大值 170 V 暗电流最大值 200 nA 截止频率 5 MHz 结电容 550 pF 0755 84689265 手机/微信：18320955412 QQ：2423332841 邮箱:2423332841@qq.com
分类：
分享
描述
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S14536-500
详细参数
|
受光面 |
48 × 48 mm |
|
芯片厚度 |
500 ± 15 μm |
|
非感光层厚度（正面） |
1.5 μm |
|
非感光层厚度（背面） |
20 μm |
|
满耗电压最大值 |
170 V |
|
暗电流最大值 |
200 nA |
|
截止频率 |
5 MHz |
|
结电容 |
550 pF |
0755 84689265 手机/微信：18320955412 QQ：2423332841 邮箱:2423332841@qq.com
